Трансформатор для привода ворот IGBT

Оптимизированная детализация продукта Страница: трансформатор Gate Drive IGBT

Введение
Трансформаторы привода затвора являются критическими компонентами в дисках с переменной частотой (VFD), что обеспечивает безопасную гальваническую выделение между этапами инвертора IGBT и цепками управления низким напряжением. Обеспеченные на нанокристаллических тороидальных ядрах, наши трансформаторы IGBT обеспечивают высокую плотность мощности с высокой переключением в ультракомпактных пакетах при минимизации следа печатной платы. Обладая усиленной изоляцией (> 5 кврм) и ультра-низкую емкость связи (<3PF), эти трансформаторы обеспечивают надежное переключение в среде высокого DV/DT и поддерживают напряжения вымирания короны, превышающие отраслевые стандарты.

Ключевые спецификации

• Изоляционное напряжение : 500-1200V Рабочий диапазон (усиление для IEC 61800-5-1)

• Связанная емкость : <3PF (уменьшает распространение EMI)

• Напряжение вымирания короны :> 2 × рабочее напряжение

• Диапазон температуры : от -40 ℃ до +105 ℃ (эксплуатация/хранение)

• Варианты монтажа : пакеты THT/SMT для макетов высокой плотности

• Настройка : Регулируемая коэффициент поворотов и продукт времени напряжения

Приложения
Интегрируйте с индукторами питания и модулями EMC - модули EMI/RFI в:

• Промышленные VFD : лифтовые двигатели, контроллеры насосов, машины с ЧПУ

• Возобновляемая энергия : преобразователи ветряных турбин, инверторы солнечной фермы

• Тяжелые системы : трансмиссия EV, железнодорожное движение

• Мощные SMP : UPS, сварочное оборудование с изолированной обратной связью датчиков

• Системы питания RF : усилители GAN в сочетании с микроволновыми компонентами РЧ

Преимущества дизайна

1. Оптимизированная космическая передача мощности
   Нанокристаллические ядра позволяют на 50% меньше следов, чем растворы феррита. Идеально подходит для совместного размещения с высокочастотными трансформаторами в многоэтапных преобразователях.

2. Шумо-иммунная переключение
   Технология обмотки с тройным охранянием исключает вмешательство общего режима. В сочетании с фильтром EMC - фильтры EMI/RFI для полного соответствия VFD.

3. Высокий DV/DT Immunity
   Задержка распространения <10NS предотвращает проходной пробег IGBT при переходных краях> 50 кВ/мкс. Улучшены с помощью сети индукторов RF .

4. Пользовательская гибкость интеграции
   Продукт времени времени на напряжение (10-100 В · мкс) и соотношение поворотов (1: 1 до 1: 2) для уникальных топологий. Поддерживает индивидуальные конструкции трансформаторов затвора .

   Почему выбирают наши трансформаторы IGBT?
   Для инженеров, разрабатывающих средние/мощные VFD, наши трансформеры для привода ворот решают критические проблемы:

   • Включить высокую изоляцию в промежуточных схемах 1200 В

   • Расширить срок службы датчика , блокируя петли земли

   • Сократить расходы на 30% по сравнению с дискретными решениями

   • Превышать безопасность IEC 61800-5-1 с усиленной изоляцией

Серия в этой семье